Ученые из MIT модернизировали покрытие для кремниевых микросхем

Специалисты из Массачусетского технологического института (MIT) нашли способ пассивировать кремний при комнатной температуре. Это позволит расширить производство компьютерных микросхем, солнечных панелей и других высокотехнологичных устройств, в которых используется этот материал.

Перед изготовлением изделия на кремний следует нанести специальное покрытие, пассивирующее поверхность и предотвращающее окисление, которое может значительно ухудшить электрические свойства продукта. Но пассивация требует денежных и энергетических затрат, поэтому выбор веществ ограничен.

В промышленности для этих целей обычно применяют нитрид кремния при температуре до 400 °С. Исследователи из Массачусетса нанесли на провода, нагретые до 300 °С, расщепленные органические соединения. Температура кремния при этом не превысила 20 °С, расход энергии был умеренным. Таким образом, снизились общие затраты на производство, а электрические характеристики материалов остались на прежнем высоком уровне.